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e-mode gan fet 文章 進(jìn)入e-mode gan fet技術(shù)社區(qū)
現(xiàn)代和起亞在2024 e-Forest科技日活動(dòng)上,展示其對(duì)于軟件定義工廠愿景
- 意義:2024 e-Forest科技日活動(dòng)于10月22日至24日在首爾現(xiàn)代汽車和起亞汽車儀旺(Uiwang)研究所舉行,現(xiàn)代汽車和起亞汽車在該活動(dòng)上展示了他們對(duì)于軟件定義工廠的愿景。今年活動(dòng)的重點(diǎn)是確立對(duì)于軟件定義工廠的愿景,這對(duì)于打造名為e-Forest的智能工廠生態(tài)系統(tǒng)至關(guān)重要。通過(guò)整合人工智能、機(jī)器人技術(shù)和數(shù)字化轉(zhuǎn)型(DX),該活動(dòng)旨在在制造系統(tǒng)中創(chuàng)造新價(jià)值。展望:e-Forest科技日活動(dòng)每年舉辦一次,到今年已經(jīng)是第五屆。這個(gè)活動(dòng)為現(xiàn)代和起亞提供了一個(gè)平臺(tái),供其展示代表未來(lái)汽車生產(chǎn)的200多項(xiàng)新制
- 關(guān)鍵字: 現(xiàn)代汽車 起亞 2024 e-Forest科技日 軟件定義工廠
Nexperia的AC/DC反激式控制器可實(shí)現(xiàn)更高功率密度的基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器
- Nexperia今天推出了一系列新的AC/DC反激式控制器,進(jìn)一步壯大其不斷擴(kuò)展的電源IC產(chǎn)品組合。NEX806/8xx和NEX8180x專為基于GaN的反激式轉(zhuǎn)換器而設(shè)計(jì),用于PD(Power Delivery)快速充電器、適配器、壁式插座、條形插座、工業(yè)電源和輔助電源等設(shè)備以及其他需要高功率密度的AC/DC轉(zhuǎn)換應(yīng)用。?NEX806xx/NEX808xx是準(zhǔn)諧振/多模反激式控制器,可在寬VCC范圍(10-83V)下工作,而NEX81801/NEX81802是自適應(yīng)同步整流控制器。這些IC可與N
- 關(guān)鍵字: Nexperia AC/DC反激式控制器 GaN 反激式轉(zhuǎn)換器
如何在設(shè)計(jì)中輕松搭載GaN器件?答案內(nèi)詳~~
- 如今,圍繞第三代半導(dǎo)體的研發(fā)和應(yīng)用日趨火熱。由于具有更大的禁帶寬度、高耐壓、高熱導(dǎo)率、更高的電子飽和速度等特點(diǎn),第三代半導(dǎo)體材料能夠滿足未來(lái)電子產(chǎn)品在高溫、高功率、高壓、高頻等方面更高的要求,被認(rèn)為是突破傳統(tǒng)硅(Si)器件性能天花板的必由之路。氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)并稱為第三代半導(dǎo)體界的“雙雄”。其中,SiC在高耐壓和大電流應(yīng)用方面優(yōu)勢(shì)突出,近年來(lái)在新能源汽車、可再生能源等功率電子領(lǐng)域風(fēng)頭無(wú)兩;而GaN則憑借出色的擊穿場(chǎng)強(qiáng)特性和電子飽和速度,提供出色的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)(高頻率工作)性能,在
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德州儀器擴(kuò)大氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體自有制造規(guī)模,產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍
- 新聞亮點(diǎn):●? ?德州儀器增加了GaN制造投入,將兩個(gè)工廠的GaN半導(dǎo)體自有制造產(chǎn)能提升至原來(lái)的四倍?!? ?德州儀器基于GaN的半導(dǎo)體現(xiàn)已投產(chǎn)上市。●? ?憑借德州儀器品類齊全的GaN集成功率半導(dǎo)體,能打造出高能效、高功率密度且可靠的終端產(chǎn)品?!? ?德州儀器已成功開展在12英寸晶圓上應(yīng)用GaN制造工藝的試點(diǎn)項(xiàng)目。德州儀器 (TI)近日宣布,公司基于氮化鎵 (GaN) 的功率半導(dǎo)體已在日本會(huì)津工廠開始投產(chǎn)。隨著會(huì)津工廠投產(chǎn),
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 氮化鎵 GaN
用Python自動(dòng)化雙脈沖測(cè)試
- 電力電子設(shè)備中使用的半導(dǎo)體材料正從硅過(guò)渡到寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體,比如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體在更高功率水平下具有卓越的性能,被廣泛應(yīng)用于汽車和工業(yè)領(lǐng)域中。由于工作電壓高,SiC技術(shù)正被應(yīng)用于電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng),而GaN則主要用作筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備和其他消費(fèi)設(shè)備的快速充電器。本文主要說(shuō)明的是,但雙脈沖測(cè)試也可應(yīng)用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設(shè)備的可靠性,雙脈沖測(cè)試(DPT)已發(fā)展成為一種行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)技術(shù),用于測(cè)量開啟、關(guān)閉和反向恢復(fù)期的一系列重要參數(shù)。雙脈沖測(cè)試系統(tǒng)包括示波
- 關(guān)鍵字: 寬禁帶 FET 測(cè)試
三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能
- 在應(yīng)對(duì)消費(fèi)類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置的能耗挑戰(zhàn)中,業(yè)界積極響應(yīng),通過(guò)實(shí)施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項(xiàng)目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評(píng)級(jí)體系。變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率,特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機(jī)轉(zhuǎn)速,并進(jìn)行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開關(guān),可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
- 關(guān)鍵字: 202409 三相集成GaN 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 GaN
為全球E-Bike發(fā)展注入更多動(dòng)能 MOTINOVA順德工廠正式啟用
- 近日,美的集團(tuán)工業(yè)技術(shù)事業(yè)群旗下專注于綠色出行領(lǐng)域與智慧短交通板塊的驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)服務(wù)商MOTINOVA位于佛山市順德區(qū)的工廠正式啟用。為進(jìn)一步提升工廠的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品品質(zhì),MOTINOVA經(jīng)過(guò)半年的部署和規(guī)劃后,正式啟用美的集團(tuán)工業(yè)技術(shù)事業(yè)群既有成套工廠場(chǎng)地及設(shè)施,并將在先進(jìn)管理系統(tǒng)的輔助下高效滿足客戶需求。順德區(qū)經(jīng)促局相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)親臨活動(dòng)現(xiàn)場(chǎng),為MOTINOVA品牌的發(fā)展提供有力支持。MOTINOVA順德工廠啟用儀式現(xiàn)場(chǎng)MOTINOVA品牌自2016年成立以來(lái),一直在不斷推進(jìn)技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)業(yè)升級(jí)。在2022年加入
- 關(guān)鍵字: E-Bike MOTINOVA
世平基于新能源電車 e-Conpressor 空壓機(jī)(Spark-800V)應(yīng)用方案
- 大聯(lián)大世平集團(tuán)針對(duì)新能源電車 800v 平臺(tái)架構(gòu),推出基于 e-Compressor 空壓機(jī)應(yīng)用方案。此方案主要由 Flagchip 的 MCU FC4150,NXP 的汽車安全系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片(SBC) FS23,安森美的 IPM 模塊、PSR DC-DC 器件,圣邦微的 OPA,納芯微的隔離器件組成。用作驅(qū)動(dòng)空調(diào)壓縮機(jī),符合ASIL-B 功能安全等級(jí)。 硬件設(shè)計(jì)說(shuō)明: 1. 主控 &nbs
- 關(guān)鍵字: 世平 新能源電車 e-Conpressor 空壓機(jī)
新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期
- 8月13日,新潔能發(fā)布公告稱,擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響,項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響,無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉,此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目,項(xiàng)目總投資約2.23億元,2022年開建,原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后,將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱,本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
- 關(guān)鍵字: 新潔能 SiC GaN 功率器件 封測(cè)
CAGR達(dá)49%,2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)?;蛏?3.76億美元
- 根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示,隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。AI應(yīng)用普及,GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn),帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升,C
- 關(guān)鍵字: CAGR GaN 功率元件
TrendForce:預(yù)計(jì)2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模上升至43.76億美元
- 8月15日消息,根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告顯示,隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源,功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元,至2030年有望上升至43.76億美元,CAGR(復(fù)合年增長(zhǎng)率)高達(dá)49%。報(bào)告顯示,非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%,汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
- 關(guān)鍵字: 英飛凌 德州儀器 GaN 功率元件
TrendForce:預(yù)計(jì) 2030 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模 43.76 億美元,復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá) 49%
- IT之家 8 月 14 日消息,TrendForce 最新報(bào)告顯示,隨著英飛凌、德州儀器等對(duì) GaN(氮化鎵)技術(shù)傾注更多資源,功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模約 2.71 億美元(IT之家備注:當(dāng)前約 19.39 億元人民幣),到 2030 年有望上升至 43.76 億美元(當(dāng)前約 313.14 億元人民幣),CAGR(復(fù)合年均增長(zhǎng)率)達(dá) 49%。據(jù)介紹,消費(fèi)電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng),并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
- 關(guān)鍵字: 功率器件 GaN
羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)
- 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆(總部位于日本京都市)將于8月28日~30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心(寶安新館)舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)(以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia)(展位號(hào):11號(hào)館D14)。屆時(shí),將聚焦碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體,展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí),羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講,分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
- 關(guān)鍵字: 羅姆 SiC 氮化鎵 GaN
第三代半導(dǎo)體,距離頂流差了什么
- 潮流就是即便你放棄了我,也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年,這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄,反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注:Yole 數(shù)據(jù)顯示,2026 年 GaN 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算,第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了,市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛?新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車的最大
- 關(guān)鍵字: GaN SiC
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)e-mode gan fet的理解,并與今后在此搜索e-mode gan fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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